超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响

摘要

研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层对H离子具有吸附的作用;2)随着退火温度升高，锗硅薄膜应力释放增大;3)在H离子4×1016/CM2注入剂量下，经过退火发现薄膜表面产生气泡，并且随着温度的升高，气泡逐渐增大。经分析，超薄SiGe层(UT-SiGe)引起了薄膜中点缺陷与H离子的互扩散，并在该层处聚集形成络合物或气泡，促进了顶层锗硅薄膜中的应力释放。