Temperature dependent Schottky barrier height and Fermi level pinning on Au/HBC/GaAs diodes

Soner OEzcan; Juergen Smoliner; Thomas Dienel; Torsten Fritz

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【24h】

Temperature dependent Schottky barrier height and Fermi level pinning on Au/HBC/GaAs diodes

机译：Au / HBC / GaAs二极管上与温度相关的肖特基势垒高度和费米能级固定

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Au/hexa-peri-hexabenzocoronene [C_(42)H_(18)/(HBC)]/GaAs heterostructures were investigated by ballistic electron emission microscopy. At room temperature, the Schottky barrier height at the Au/HBC interface was measured to be 1.3 eV, while the Fermi leve

机译：通过弹道电子发射显微镜研究了Au /六-peri-hexabenzocoronene [C_（42）H_（18）/（HBC）] / GaAs异质结构。在室温下，Au / HBC界面的肖特基势垒高度为1.3 eV，而费米级

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来源
《Applied Physicsletters》 |2008年第15期|301-303|共3页
作者
Soner OEzcan; Juergen Smoliner; Thomas Dienel; Torsten Fritz;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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