首页> 外文期刊>Applied Physicsletters >Effect of strain compensation on quantum dot enhanced GaAs solar cells
【24h】

Effect of strain compensation on quantum dot enhanced GaAs solar cells

机译:应变补偿对量子点增强GaAs太阳能电池的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

GaP tensile strain compensation (SC) layers were introduced into GaAs solar cells enhanced with a five layer stack of InAs quantum dots (QDs). One sun air mass zero illuminated current-voltage curves show that SC results in improved conversion efficiency
机译:将GaP拉伸应变补偿(SC)层引入通过五层InAs量子点(QD)堆叠增强的GaAs太阳能电池中。太阳空气质量零照度电流-电压曲线表明,SC可以提高转换效率

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号