机译:紫外光刻图形化的氧化石墨薄膜的电容-电压和电流-电压特性
School of Information and Communication Engineering and Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea;
rnSchool of Information and Communication Engineering and Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea;
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机译:具有肖特基触点的金属铁电金属结构。二。 Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的实验电流-电压和电容-电压特性分析
机译:基于氧化铟锌氧化锌薄膜晶体管的电容 - 电压特性分析紫外光辐照
机译:基于薄膜晶体管的并五苯和溶胶-凝胶衍生的SiO2栅介电层的电流-电压和电容-电压特性建模
机译:氧化锌薄膜和纳米玻璃的紫外线光电检测特性
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:溶液处理半导体碳纳米管网络制造的薄膜晶体管的电容-电压特性
机译:电流击穿效应的电流 - 电压特性 超导体 - 绝缘体附近的非晶氧化铟薄膜 过渡
机译:锆的阳极极化研究:(Ⅰ)高电位和低电位测量的形成场(Ⅱ)极薄阳极氧化膜的孔隙率(Ⅲ)极薄气化氧化膜的厚度(Ⅳ)a低电位电流电压调节器