机译:使用高分辨率x射线衍射和光致发光评估InAs / GaAs量子点阵列的应变平衡层厚度
NanoPower Research Labs, Rochester Institute of Technology, 156 Lomb Memorial Dr., Rochester, New York 14623, USA;
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机译:InAs / GaAs(001)量子点层堆叠过程中的原位X射线衍射和光致发光光谱
机译:高分辨率X射线衍射表征选择性掺杂的InAs量子点GaAs基多层异质结构
机译:嵌入应变降低层的AlGaAs / InGaAs量子阱中InAs量子点的光致发光
机译:紧密堆积的InAs / GaAs量子点具有长波长发射的偏振光致发光性质的GaAs第一层厚度与厚度的关系
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:通过自组织各向异性应变工程在InGaAsP / InP(100)上的波长控制的多层堆叠线性InAs量子点阵列:自排序量子点晶体