机译:通过修改沟道/铁电聚合物界面来增强ZnO存储晶体管的保留特性
Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea;
Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea;
机译:具有铁电聚合物连接ZnO和并五苯通道的高迁移率非易失性存储薄膜晶体管
机译:ZnO沟道厚度对带有Al2O3和铁电聚合物双层栅极绝缘体的非易失性存储薄膜晶体管器件性能的影响
机译:Al_2O_3的界面控制层对改善In-Ga-Zn氧化物基铁电存储晶体管的保持性能的影响
机译:具有聚合物铁电和薄缓冲层的ZnO基薄膜晶体管的非易失性存储特性
机译:用于存储器应用的铁电铋层SBT和金属/铁电/绝缘体/硅晶体管。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:具有铁电极化增强的沟道电流和发光的可编程聚合物发光晶体管
机译:通过后顶电极退火处理增强铁电薄膜存储电容器的疲劳和保持力