机译:电离能变化对有机p-n结价带偏移的影响
Department of Chemistry, Graduate School of Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8602, Japan;
Research Core for Interdisciplinary Sciences, Okayama University, Tsushima-naka 3-1-1, Okayama 700-8530, Japan;
Department of Chemistry, Graduate School of Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8602, Japan;
Department of Chemistry, Graduate School of Science, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8602, Japan;
机译:Cd_xZn_(1-x)Se / ZnS_ySe_(1-y)单量子阱中电导和价带偏移的变化对激子结合能的影响
机译:GaN / VO2异质外延p-n结:带偏移和少数载流子动力学
机译:GaN / VO_2异质外延p-n结:带隙和少数载流子动力学
机译:高压太阳能电池,结合了梯度带隙层中的垂直p-n结和基础层中的水平p-n结
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:在金属配合物二硫金属 - 硫价轨道之间相互作用能:充电和重叠相互作用能的测定价电离能位移核心的比较
机译:GaN / VO2异质外延p-n结:带偏移和少数 载波动力学
机译:au覆盖层对埋地CaF2 / si(111)界面价带偏移的影响。 (重新公布新的可用性信息)。