An electrical switching device controlled by a magnetic field-dependent impact ionization process

Jinseo Lee; Sungjung Joo; Taeyueb Kim; Ki Hyun Kim; Kungwon Rhie; Jinki Hong; Kyung-Ho Shin

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An electrical switching device controlled by a magnetic field-dependent impact ionization process

机译：通过磁场相关的碰撞电离过程控制的电气开关设备

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An abrupt change of conductance at a threshold magnetic field was observed in a device consisting of a nonmagnetic narrow-gap semiconductor. The conductance varies more than 25 times as the magnetic field increases. The threshold magnetic field can be tuned using a bias voltage from zero to several hundred Gauss. This large magnetoconductance effect is caused by the magnetic field-dependent impact ionization process. A theoretical model is proposed, and calculations based on this model simulate the experimental results closely. This device may be a good candidate for an electrical switching device controlled by a magnetic field.

机译：在由非磁性窄隙半导体组成的器件中，在阈值磁场处电导突然变化。随着磁场的增加，电导变化超过25倍。可以使用从零到几百高斯的偏置电压来调整阈值磁场。这种大的磁导效应是由磁场相关的碰撞电离过程引起的。提出了一个理论模型，并在此模型的基础上进行了精确的模拟实验。该设备可能是受磁场控制的电气开关设备的理想选择。

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来源
《Applied Physics Letters》 |2010年第25期|p.253505.1-253505.3|共3页
作者
Jinseo Lee; Sungjung Joo; Taeyueb Kim; Ki Hyun Kim; Kungwon Rhie; Jinki Hong; Kyung-Ho Shin;
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作者单位

Department of Physics, Korea University, Chochiwon 339-700, Republic of Korea;

Department of Physics, Korea University, Chochiwon 339-700, Republic of Korea;

Department of Physics, Korea University, Chochiwon 339-700, Republic of Korea;

Brookhaven National Laboratory, NewYork 11973, USA;

Department of Physics, Korea University, Chochiwon 339-700, Republic of Korea;

Department of Physics, Korea University, Chochiwon 339-700, Republic of Korea;

Nano Devices Research Center, KIST, Seoul 130-650, Republic of Korea;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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