机译:通过金属有机化学气相沉积减少在富锌条件下生长的ZnO薄膜的非辐射复合中心
Sensor Materials Center, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan;
Optronic Semiconductor Materials Center, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan;
rnMaterials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 227-8561, Japan;
rnGraduate School of Frontier Sciences, The University of Tokyo, Kashiwa 277-8568, Japan;
rnSensor Materials Center, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan;
机译:金属有机化学气相沉积生长InN薄膜的辐射和非辐射复合过程
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的InN薄膜中的辐射和非辐射复合过程
机译:电子陷阱是金属有机化学气相沉积法生长的n-GaN膜中的主要复合中心
机译:脉冲激光沉积在c-蓝宝石上生长的ZnO薄膜的特性作为金属有机化学气相沉积法再生ZnO的模板
机译:通过无机低温化学气相沉积法生长的钽和氮化钽膜,用于铜金属化:化学,工艺以及材料开发和表征。
机译:金属有机化学气相沉积对蓝宝石衬底上ZnO纳米结构的生长性能的影响
机译:响应“关于“通过金属有机化学气相沉积法生长的InN薄膜中的辐射和非辐射复合过程”的评论。物理来吧87,176101(2005)