机译:具有ZnO栅极层和(NH_4)_2S_x表面处理的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Rung University,Tainan 701, Taiwan;
Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, Ann Arbor,Michigan 48109-2122, USA;
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, National Cheng Rung University,Tainan 701, Taiwan;
机译:AlGaN / GaN金属氧化物 - 半导体高电子迁移率使用蒸汽冷却冷凝系统生长的Ga2O3栅极介电层的高电子迁移率晶体管
机译:具有氧化层/ Ta2O5 / Al2O3栅介电叠层的光电化学氧化处理AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:光电化学氧化处理的具有氧化层/ Ta_2O_5 / Al_2O_3栅电介质叠层的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:性能改进的常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在凹入的栅极下方具有设计的p-GaN区域
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,具有偏振P(VDF-TRFE)铁电聚合物门控