机译:带内激发时掺有浅施主的GaAs的太赫兹光致发光
A. F. Ioffe Physical Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
rnA. F. Ioffe Physical Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
rnA. F. Ioffe Physical Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
rnA. F. Ioffe Physical Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russia;
机译:掺有浅施主的GaAs的太赫兹光致发光
机译:中心上浅施主杂质掺杂的球形GaAs-(Ga,Al)As量子点中的量子态和带间光谱:实时波包传播方法
机译:通过光致发光激发光谱法鉴定掺Sb的ZnO中的浅施主态
机译:供体-受体掺杂势垒的AlGaAs / InGaAs / GaAs分子异质结构的光致发光
机译:远程浅施主的量子态的磁光激发。
机译:温度和激发强度对InGaAs / GaAs表面量子点光致发光特性的相互作用
机译:Zn掺杂分布对InGaAsP异质结构中光致发光强度激发依赖性的影响
机译:掺镱Inp,Gaas和alGaas的选择性激发发光和光致发光研究。