机译:利用内部结合的带间和势垒隧穿机制的隧穿场效应晶体管
Nanoelectronic Devices Laboratory (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne,CH-1015 Lausanne, Switzerland;
Nanoelectronic Devices Laboratory (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne,CH-1015 Lausanne, Switzerland;
Nanoelectronic Devices Laboratory (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne,CH-1015 Lausanne, Switzerland;
Nanoelectronic Devices Laboratory (NANOLAB), Ecole Polytechnique Federate de Lausanne,CH-1015 Lausanne, Switzerland;
机译:基于内部组合的频带间传输和屏障隧穿机制的突然切换
机译:量子约束对线隧道型L形隧道场效应晶体管的带间隧穿的影响
机译:GaN纳米线场效应晶体管和带间隧穿场效应晶体管的建模与性能分析
机译:具有肖特基势垒和带间隧穿的掺杂剂隔离金属源隧道场效应晶体管
机译:低功耗应用的带间隧道晶体管设计和建模。
机译:双边栅极控制S / D对称和可互换双向隧道场效应晶体管的结构参数和内部机制的影响研究
机译:基于p-i-n二极管的压缩应变SiGe带间隧穿模型校准及应变SiGe隧穿场效应晶体管的前景