机译:极化对InAlN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管中栅极泄漏的影响
Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA;
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机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:基于ALN / GaN超晶格沟道的Inaln / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子移动性晶体管的制造与分析
机译:在GaN衬底上生长的低位错密度InAlN / AlN / GaN异质结构及其对栅极泄漏特性的影响
机译:生长参数对InAlN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中电性能的影响
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:双势垒InalN / alGaN / GaN-on-silicon高电子迁移率晶体管,具有基于pt和Ni的栅极堆叠