...
机译:优化长波长应变层超晶格红外探测器中抑制暗电流的异质结单极势垒层的厚度和掺杂
Corbin Company, Alexandria, Virginia 22314, USA,U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
U. S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Ft. Belvoir, Virginia 22060, USA;
机译:优化长波长应变层超晶格红外探测器中抑制暗电流的异质结单极势垒层的厚度和掺杂
机译:具有M结构势垒的II型InAs / GaSb超晶格长波长红外光电二极管中的暗电流抑制
机译:INAS / INASSB II型应变层超晶格单极屏障红外探测器的开发
机译:单极屏障红外探测器中暗电流抑制的建模
机译:针对长波长红外探测器优化的InAs / GaInSb应变层超晶格的设计和演示。
机译:用于高温操作的InAs / InAsSb应变层超晶格中波红外探测器
机译:基于具有单极阻挡层的II型Inas / Gasb超晶格二极管的红外光电探测器的电流 - 电压特性建模
机译:使用多个siGe / si层的长波长堆叠siGe / si异质结内部光电发射红外探测器