机译:肖特基势垒栅照明在n-AlGaAs / GaAs异质结沟道中产生横向电流
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan,Toyota Technological Institute, 2-12-1 Hisakata, Tempaku-ku, Nagoya 468-8511, Japan;
机译:在霍尔棒边缘区域的局部照明驱动的n-AlGaAs / GaAs异质结通道中的光感应电流
机译:通过第二光照射增强N-Algaas / GaAs异质结FET的肖特基栅区的红外光响应
机译:在霍尔棒的边缘区域受局部照明驱动的n-AIGaAs / GaAs异质结通道中的光感应电流
机译:通过第二次光照增强n-AlGaAs / GaAs异质结FET的肖特基栅极区域的红外光响应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:勘误:纳米种子在隧道氧化物上无缺陷的外延横向过生长而产生的高电流密度GaAs / Si整流异质结
机译:量子点在n-alGaas / Gaas的二维电子气中定义 异质结:静电势和充电特性的模拟
机译:增强肖特基势垒InGaas / al(x)Ga(1-X)作为应变通道调制掺杂场效应晶体管的表征