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Sodium doping in ZnO crystals

机译:ZnO晶体中的钠掺杂

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摘要

ZnO bulk single crystals were doped with sodium by thermal diffusion. Positron annihilations spectroscopy confirms the filling of zinc vacancies, to >6 μm deep in the bulk. Secondary-ion mass spectrometry measurement shows the diffusion of sodium up to 8 μm with concentration (1-3.5) × 10~(17)cm~(-3). Broad photoluminescence excitation peak at 3.1 eV, with onset appearance at 3.15 eV in Na:ZnO, is attributed to an electronic transition from a Na_(Zn) level at ~(220-270) meV to the conduction band. Resistivity in Na doped ZnO crystals increases up to (4-5) orders of magnitude at room temperature.
机译:ZnO块状单晶通过热扩散掺杂了钠。正电子an没光谱证实了锌空位的填充,在整个本体中深度大于6μm。二次离子质谱仪测量显示,钠的扩散高达8μm,浓度为(1-3.5)×10〜(17)cm〜(-3)。在Na:ZnO中,宽的光致发光激发峰在3.1 eV处出现,在3.15 eV处出现,归因于从〜(220-270)meV的Na_(Zn)能级到导带的电子跃迁。在室温下,Na掺杂的ZnO晶体的电阻率增加到(4-5)数量级。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2015年第2期|022101.1-022101.3|共3页
  • 作者

    N. S. Parmar; K. G. Lynn;

  • 作者单位

    Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, Washington 99164-2711, USA;

    Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, Washington 99164-2711, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 03:15:03

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