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机译:具有高迁移率二维空穴气的调制掺杂应变Ge量子阱异质结构中的复杂量子传输
Department of Physics, University of Warwick, Coventry CV4 7AL, United Kingdom;
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机译:在室温下在调制掺杂应变Ge量子阱中观察具有很高空穴密度的高迁移率2DHG
机译:揭示在标准Si(001)衬底上生长的应变Ge量子阱异质结构中2D孔的高室温和低温迁移率
机译:通过实施双面调制掺杂来提高SiGe异质结构的Ge量子阱中的空穴迁移率和载流子密度
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机译:高质量的砷化镓-铝镓-砷化物异质结构的分子束表观生长,用于微波设备的应用(量子阱,杂质,光致发光,调制掺杂)。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
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