机译:垂直硅侧壁的倾斜图案蚀刻
Sandia National Laboratories, P.O. Box 5800, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
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机译:侧壁图案 - 一种新的晶片级法,用于垂直硅结构的精确图案化
机译:具有垂直和光滑侧壁的各向异性硅纳米结构制造各向异性硅纳米结构的蚀刻方法
机译:使用<100>取向硅的双面各向异性刻蚀制造垂直侧壁
机译:通过ICP干法蚀刻和化学蚀刻,具有非常光滑和垂直侧壁的GaN基脊形波导
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:用于垂直硅微线阵列及其光伏应用的金属辅助化学蚀刻的多功能控制
机译:用于3-D III-V mOsFET的纳米级垂直侧壁反应离子蚀刻InGaas