公开/公告号CN103050458B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-10-28
原文格式PDF
申请/专利权人 香港应用科技研究院有限公司;
申请/专利号CN201210481197.6
申请日2012-11-23
分类号H01L23/48(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;
代理人江耀纯
地址 中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心3楼
入库时间 2022-08-23 09:30:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-10-28
授权
授权
2013-05-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20121123
实质审查的生效
2013-04-17
公开
公开
机译: 具有图案化表面,图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构
机译: 通过图案化焊盘膜和预定深度的衬底以形成沟槽来形成半导体器件的隔离膜,并形成侧壁氧化膜,第一隔离膜,硅层和第二隔离膜
机译: 互连结构包含具有可弯曲的侧壁表面的可光图案化的低k电介质