机译:原子层沉积原位表面处理在(001)n-InAs上的ZrO_2和HfO_2电介质
Department of Electrical and Information Technology, Lund University, Lund SE-22100, Sweden;
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机译:通过原位表面预处理和ZrO_2高k栅极电介质的原子层沉积来降低InAIN / GaN MOS HEMT中的电流塌陷
机译:在(001)和(111)GaAs表面上形成超薄SiN_x / Si界面控制双层,用于高k电介质的非原位沉积
机译:N极GaN上HFO_2栅极电介质的研究与优化:表面处理,沉积和退火条件的影响
机译:n-InAs金属氧化物半导体电容器的La_2O_3 / HfO_2栅介质的研究
机译:离子表面上物理吸附的双原子分子的结构,稳定性和相变的计算机模拟:一氧化碳/氧化镁(001),氮/氧化镁(001)和氮/氯化钠(001)系统。
机译:通过先进的光学显微镜原位观察黑云母(001)在pH 1和9.5时的表面溶解
机译:在(001)和(111)GaAs表面上形成超薄SiNx ∕ Si界面控制双层,用于高k电介质的非原位沉积
机译:污染土壤表面处理技术综述。第2卷。原位处理的背景资料