机译:退火诱导的NiO:Cu / wet-SiO_x / n-Si隧道结太阳能电池界面性能的增强
Nankai Univ, Inst Photoelect Thin Film Devices & Technol, Tianjin 300071, Peoples R China;
Nankai Univ, Inst Photoelect Thin Film Devices & Technol, Tianjin 300071, Peoples R China;
Hebei Univ, Inst Photovolta, Coll Phys Sci & Technol, Baoding 071002, Peoples R China;
Nankai Univ, Key Lab Photoelect Thin Film Devices & Technol Ti, Tianjin 300071, Peoples R China;
机译:通过p-n结界面改性研究并提高窄带隙Cu_2SnS_3太阳能电池的光伏性能
机译:通过p-n结界面改性研究并提高窄带隙Cu_2SnS_3太阳能电池的光伏性能
机译:改善Cu:NiOx基于P-I-N平面钙钛矿太阳能电池的改进,通过半胱氨酸增强界面接触
机译:在CoFeB / MgO / CoFeB磁隧道交界处的CoFeB层和MgO阻挡层之间的界面处的退火诱导的固相外延
机译:高效多结太阳能电池和隧道结的表征。
机译:通过控制氟取代来增强小分子半导体的电荷传输性能以及对有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池的光伏性能的影响
机译:通过异质形成诱导的良性PN结接口在溶液加工Cu(In,Ga)(SE,Se)2薄膜太阳能电池中实现超过15%的效率
机译:Cds / CdTe太阳电池结合特性及其与器件性能的相关性研究(介绍)