机译:镁注入GaN的阴极发光研究:位错对镁扩散的影响
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Adv Technol Lab, Tokyo 1918502, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Adv Technol Lab, Tokyo 1918502, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan|Tsukuba Univ, Tsukuba, Ibaraki 3058577, Japan;
机译:Mg植入GaN的阴离子荧光研究:位错对MG扩散的影响
机译:利用扫描电子显微镜对铜植入的CdTe晶体进行阴极发光研究
机译:通过将Si离子注入到蓝宝石中,GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置发生变化。二。电子能量损失谱研究
机译:Mg植入术术术术术术术中的跨线脱位的阴离子发光和原子探针研究
机译:种植牙直径对种植体周围骨水平的影响:Branemark种植体的回顾性临床研究。
机译:GaN / Al2O3异质结构中边缘和螺钉位错密度的研究
机译:通过si离子注入蓝宝石,改变GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置。 II。电子能量损失光谱研究
机译:l brace 311(r brace)离子注入硅中的缺陷:瞬态扩散的原因,以及形成位错的机制