Electronic properties of diamond Schottky barrier diodes fabricated on silicon-based heteroepitaxially grown diamond substrates

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Electronic properties of diamond Schottky barrier diodes fabricated on silicon-based heteroepitaxially grown diamond substrates

机译：在硅基异质外延生长的金刚石基板上制造的金刚石肖特基势垒二极管的电子性能

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《Applied physics express》 |2015年第10期|104103.1-104103.3|共3页
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