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机译:氮空位是形成在GaN衬底上的Mg注入GaN层中绿色发光和非辐射复合中心的常见元素
Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Adv Technol Lab, Hino, Tokyo 1918502, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Adv Technol Lab, Hino, Tokyo 1918502, Japan;
Fuji Elect Co Ltd, Adv Technol Lab, Hino, Tokyo 1918502, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Adv Power Elect Res Ctr, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Adv Power Elect Res Ctr, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Res Ctr Computat Design Adv Funct Mat, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
Univ Tsukuba, Fac Pure & Appl Sci, Div Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Tohoku Univ, Inst Multidisciplinary Res Adv Mat, Sendai, Miyagi 9808577, Japan|Nagoya Univ, Inst Mat & Syst Sustainabil, Nagoya, Aichi 4648603, Japan;
机译:插入低温n-GaN基础层以分隔非辐射复合中心可提高蓝色InGaN / GaN LED的发光效率
机译:在GaN衬底上生长的Mg掺杂的GaN外延层中主要非辐射复合中心的大电子俘获截面
机译:间隙下激发研究生长在LT-GaN和AlN缓冲层上的n-GaN中的非辐射复合中心
机译:衰老期间GaN基激光二极管中的非接种重组中心的增加
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:在块状GaN上生长的非极性(Al,Ga)N / GaN量子阱中的热载流子发射和非辐射复合。