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Role of microstructure in hertzian contact damage in silicon nitride: I, mechanical chatacterization

机译:微观结构在氮化硅中赫兹接触损伤中的作用:I,机械特性

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摘要

In this Part I of a two-part study of hertzian induntation in silicon nitride we characterize irreversible contact damage as a function of microstructure. Three controlled silicon nitride microstructures are examined, representing a pro- gression toward greater long-crack toughness: fine (F), bi- modal with predominantly equiaxed α grains; medium (M), bimodal with mostly β grains of intermediate size; and coarse (c), with almost exclusively elongated β grains.
机译:在由两部分组成的研究中,氮化硅中的赫兹氮化物有一部分,我们将不可逆的接触损伤表征为微观结构的函数。研究了三种受控的氮化硅微结构,这些结构代表了向更高的长裂纹韧性的发展:精细(F),双峰且α轴等轴晶为主;中等(M),双峰,大部分为中等大小的β晶粒;和(c),几乎只有拉长的β晶粒。

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