semiconductor; nanostructuring; quantum dot; self-assembly; droplet etching; room temperature; photoluminescence;
机译:Quantum被局限于inAs / GaAs二维电子气体耦合的INAS量子点的光致发光的温度依赖性
机译:Quantum受限于INAS / GaAs二维电子气体耦合的INAS量子点的光致发光的温度依赖性(Vol 53,PG 484,2019)
机译:量子约束 加上 AIGaAs / 砷化镓 的二维电子气 的InAs 量子点 光致发光 的 斯塔克效应 和 温度 的依赖关系
机译:紧密堆积的InAs / GaAs量子点具有长波长发射的偏振光致发光性质的GaAs第一层厚度与厚度的关系
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:温度和激发强度对InGaAs / GaAs表面量子点光致发光特性的相互作用
机译:错误到:量子狭窄的insumsum圆点光致发光与Algaas / GaAs二维电子气体的光致发光的温度依赖性