机译:通过激光Lissajous扫描选择性将发光二极管转移到柔性基板上
机译:使用266 nm二极管泵浦固态激光辐照从蓝宝石衬底上选择性剥离GaN发光二极管
机译:通过选择性剥离将Si(111)衬底上的薄膜InGaN多量子阱发光二极管转移到铜载体上
机译:使用同时扫描的近红外二极管和CO_2激光选择性切除龋齿
机译:通过扫描探针显微镜检查有机发光二极管的缺陷:技术发展和固有的空间变化。
机译:使用同时扫描的近红外二极管和CO2激光选择性切除龋齿
机译:通过激光Lissajous扫描选择性将发光二极管转移到柔性基板上