polycrystalline films chalcogenide materials nanopores quantum confinement in pores;
机译:膜厚和化学计量比对不同浴温下化学浴沉积法制备的CdS量子点薄膜的电,光和光探测器性能的影响
机译:沉积时间对化学浴沉积制备的半导体ZnS薄膜光学和电学性质的影响
机译:沉积时间对化学浴沉积制备的半导体ZnS薄膜光学和电性能的影响
机译:浴温对化学浴沉积Cds薄膜光学和形态学性能的影响
机译:新型微反应器中半导体薄膜和纳米结构的化学浴沉积。
机译:退火温度对化学浴镀(CBD)技术在低溶液浓度下沉积的CdS薄膜光学光谱的影响
机译:孔隙率对化学浴沉积获得的半导体硫族化物薄膜光学性能的影响