Atomic layer deposited AlN Interface state density Reverse leakage current;
机译:GaN衬底原子层沉积AlN和AlGaN之间的电气和界面特性的比较
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:GaN上的热原子层沉积Aln的改善界面性质
机译:AlGaN / ALN / GAN多层的表面形态和电性能,改变ALN厚度
机译:原子层在氮化铟上沉积的高k电介质的电性能。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:欧姆接触电阻对alN / GaN HEmT结构阻挡层厚度的依赖性