机译:通过可能形成Sr2Ti6O13或Sr1Ti11O20相形成原子层沉积SrTiO3膜的电阻转换行为
机译:通过可能形成Sr 2 sub> Ti 6 sub> O 13 sub>或Sr原子层沉积的SrTiO 3 sub>膜的电阻转换行为 1 sub> Ti 11 sub> O 20 sub>相
机译:通过调整种子层结晶退火的冷却速率,减少原子层沉积的SrTiO3薄膜的纳米级缺陷形成
机译:用于电阻转换的等离子增强原子层沉积氧化镍薄膜的基底相关生长行为
机译:预清洗对原子层沉积镍膜形成低电阻硅化镍的影响
机译:用于银和铜合金文化遗产物体的新型保护涂层,使用原子层沉积的金属氧化物阻挡膜制成。
机译:理想原子层沉积Al2O3隧道开关层改善了掺Mg的LiNbO3薄膜的铁电性能
机译:通过可能形成Sr $ _ {{2} $ Ti $ _ {6} $ O $ _ {13} $或Sr $ _ {{1} $ Ti $的原子层沉积SrTiO $ _ {3} $膜的电阻切换行为_ {11} $ O $ _ {20} $个阶段
机译:用于射频mEms电容开关的替代介电薄膜,使用原子层沉积的al2O3 / ZnO合金沉积