机译:使用具有高温退火的部分纳米晶化的陷阱层的SAHAOS改进非易失性UV TD传感器的性能
机译:用AL_2O_3 / SIO_2双层阻塞氧化物的UV-TOPER-DESE NOVOLATILE传感器性能改进
机译:使用氧化硅-氮化物-氧化硅-硅电容器和氧氮化物作为电荷捕获层的紫外线总剂量非易失性传感器
机译:使用氮化硅和氮化氧为叠层电荷捕获层的金属-氮化物-氮化物-硅材料改善非易失性辐射传感器的电荷保留
机译:退火温度对(HfO
机译:改善极温下紫外线数字图像相关(UV-DIC)
机译:用于紫外线传感器的微波合成ZnO纳米棒阵列:种子层退火温度研究
机译:使用具有高温退火的SahaOS的非挥发性UV TD传感器的性能改进,部分纳米结晶捕获层
机译:辐照和等时退火温度对mOs器件中空穴和电子俘获的影响