green LEDs InGaN/GaN superlattice V-pits external quantum efficiency;
机译:V坑嵌入式InGaN / GaN超晶格对GaN基绿色发光二极管的光学和电学性质的影响
机译:Si(111)上具有大V坑的黄色LED的InGaN / GaN超晶格中间层的电致发光
机译:具有GaN / InGaN超晶格结构的AlGaN / InGaN MQW LED的性能增强
机译:使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
机译:利用纳米技术在Si上生长,制造和表征基于InGaN / GaN的蓝色,绿色和黄色LED。
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:V-Pits Embedded Ingan / GaN超晶格对GaN的绿色发光二极管光学和电性能的影响(物理SOLVI A 5/2017)
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。