机译:V-Pits Embedded Ingan / GaN超晶格对GaN的绿色发光二极管光学和电性能的影响(物理SOLVI A 5/2017)
机译:V坑嵌入式InGaN / GaN超晶格对GaN基绿色发光二极管的光学和电学性质的影响
机译:纳米级V形凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:具有嵌入式AlGaNδ层的绿色InGaN / GaN量子阱发光二极管的光学特性
机译:indangated Ingan / GaN绿色发光二极管的光学和电气性能
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:纳米级V凹坑对GaN基绿色发光二极管的电子和光学特性以及效率下降的影响
机译:出版商注:“来自Semipolar的高光学偏振率((202¯1))蓝绿IngaN / GaN发光二极管”Appl。物理。吧。 99,051109(2011)