memristor ion-conductor non-volatile memory ReRAM STDP;
机译:脉冲形状和时序对离子传导忆阻器作为突触的尖峰时序相关可塑性响应的依赖性
机译:铁电隧道结突起的穗定时依赖性突触可塑性的穗状依赖性
机译:在多个时间尺度上模拟基于HfO_2的忆阻器中与尖峰时序相关的可塑性
机译:忆阻器交叉开关阵列中的峰值定时依赖可塑性之外
机译:依赖于峰值计时的可塑性产生的网络结构。
机译:BiFeO3忆阻器中单个配对的基于尖峰时序的可塑性时间窗口为25 ms至125μs
机译:脉冲形状和时序对离子传导忆阻器作为突触的尖峰时序相关可塑性响应的依赖性