在大晶格失配的MgO衬底上生长SrNb0.2 Ti0.8O3薄膜

摘要

采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶平衬底上制备了SrNb0.2Ti0.8O3(SNTO)薄膜,两者的失配度约为5.7%.X射线衍射分析表明:在沉积温度为850℃,沉积氧压为50 Pa,沉积速度为2Hz/s的情况下,薄膜可以近外延的生长;实验还发现,随着退火氧压的减小,薄膜的电阻减小,(002)特征峰的强度也随之变弱,至1×10-3 Pa时,薄膜的(002)特征峰消失.从而摸索出在MgO衬底上制备SNTO导电薄膜的最佳条件.