公开/公告号CN1281247A
专利类型发明专利
公开/公告日2001-01-24
原文格式PDF
申请/专利权人 华上光电股份有限公司;
申请/专利号CN00120258.8
申请日2000-07-14
分类号H01L21/20;
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人杜日新
地址 台湾省台北
入库时间 2023-12-17 13:50:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-09-13
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2004-07-07
授权
授权
2001-06-06
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2001-01-24
公开
公开
机译: 在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
机译: 通过熔化缓冲层在高度晶格失配的衬底上外延生长半导体的方法
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