首页> 中国专利> 在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法

在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法

摘要

提供采用具有固-液相变的过渡层以调节衬底和半导体之间高度失配在晶格高度失配的衬底上生长无应力半导体外延层的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1281247A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2001-01-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华上光电股份有限公司;

    申请/专利号CN00120258.8

  • 申请日2000-07-14

  • 分类号H01L21/20;

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人杜日新

  • 地址 台湾省台北

  • 入库时间 2023-12-17 13:50:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-09-13

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2004-07-07

    授权

    授权

  • 2001-06-06

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2001-01-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号