SiC陶瓷与TiAl基合金扩散连接接头的强度及断裂路径

摘要

进行了SiC陶瓷与TiAl基合金(TAD)的真空扩散连接,给出了接头的剪切强度,并采用SEM、EPMA和XRD分析了接头的断裂路径.结果表明,在1 573 K和0.3～28.8 ks的连接条件下,当连接时间较短时接头强度较高,如室温时为240 MPa,高温(973 K)时为230 MPa,接头在(Ti5Si3CX+TiC)/TAD界面处断裂.随着连接时间的增加,接头强度降低,接头的断裂路径也由靠近TAD的(Ti5Si3CX+TiC)/TAD界面转向靠近SiC的TiC层内.