硼轻掺杂对a-Si∶H光电导层性能影响的研究

摘要

用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为 1μm左右的B轻掺杂a Si∶H光电导层 ,得到了a Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线 ,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明 ,当B掺杂比增大时 ,a Si∶H的暗电导率先减小后增大 ,并可发生几个数量级的变化。光电导率减小 ,折射率略有降低 ,线性吸收系数显著增大 ,光学带隙减小。测量的数据表明 ,我们制备的B轻掺杂a Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。