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林列; 蔡宏琨; 张德贤; 孙云; 郝延明;
南开大学信息技术科学学院;
天津师范大学物理系;
硼掺杂; 非晶硅薄膜; 电导率; 太阳电池; 光电转换效率;
机译:A-Si:H薄膜太阳能电池的效率改进通过磷掺杂,在P / I界面处用A-Si:H缓冲层掺杂
机译:在氢气中进行高温退火的掺硼a-Si:H薄膜的ε_2电导率
机译:光诱导的未掺杂a-Si:H薄膜在高温下的亚稳电导率弛豫
机译:硼掺杂对非晶硅薄膜电导率的影响及太阳能电池光伏效率
机译:研究晶界,膜界面和晶体学取向对掺杂g的二氧化铈薄膜离子电导率的影响。
机译:未掺杂和硼掺杂纳米晶金刚石薄膜的摩擦学性质
机译:在长期潜在波动存在下复杂的电导率。在掺杂和硼掺杂A-Si:H由CVD生长的掺杂A-Si:H薄膜的应用
机译:22 mE V质子和2.4 mE V电子辐射对硼和铝掺杂硅太阳电池的影响
机译:复合薄膜太阳电池的基本材料,复合薄膜太阳电池,复合薄膜太阳电池模块,复合薄膜太阳电池的制造基本方法以及复合薄膜太阳电池的制造方法
机译:提高掺杂剂弱掺杂的非晶态氢化硅的掺杂效率和电导率变化的方法
机译:制造薄膜太阳电池的方法,制造薄膜太阳电池的设备以及包括该方法制造的包括缓冲层的薄膜太阳电池
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