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王新昌; 叶志镇; 何军辉; 黄靖云; 顾星; 卢焕明; 赵炳辉;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
浙江大学物理系;
PLD法; 硅衬底; LiNb03晶体薄膜; c轴取向; 薄膜生长; 脉冲激光沉积; 氧压; 铌酸锂薄膜; 半导体;
机译:氧气压力对脉冲激光沉积法在SiO_2 / Si衬底上LiNbO_3薄膜c轴取向生长的影响
机译:Si上透明导电Ah:ZnO中间层上c轴取向LiNbO_3薄膜的生长和表征
机译:在(002)ZnO涂层的Si衬底上生长无应力c轴取向LiNbO_3薄膜的沉积
机译:通过PLD技术在MgO缓冲Si(100)上生长的C轴取向CA_3CO_4O_(9 +δ)薄膜的热电性能
机译:c轴取向钡(2)钛硅(2)氧(8)薄膜
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:通过射频等离子体辅助化学气相沉积法在晶体硅上生长的高取向六方氮化硼薄膜的微观结构
机译:氧压对YBa(2)Cu(3)O(7-x)/ srTiO(3)取向的影响,在(1(bar-1)02)al(2)O(3)衬底上沉积的薄膜
机译:晶体取向依赖性各向异性刻蚀法在硅片上(硅片上)制造出比硅脂少的薄膜散装声谐振器
机译:从涂有钛和钴的薄双层薄膜的硅基底上通过化学气相沉积法生长碳纳米管包括在预先涂有双层膜的硅基底上使用热丝
机译:基于能够在基质上对准三个晶体轴取向的二次生长非球面种子晶体的膜及其形成方法
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