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陈岩; 陈启谨; 崔玉德; 孙碧武; 林彰达;
中科院物理所表面物理国家重点实验室;
表面结构; 单晶硅衬底; 生长速率; 氧化硅;
机译:SIO2层中氧空位引起的导带偏移对准及其对纳米MOSFET栅极漏电流的影响的研究
机译:高温热循环对BCB与PECVD SiO2层界面粘结强度影响的研究
机译:偶氮膜作为IGZO / SiO2和IGZO / AZO / SiO2样本微观结构结晶度和电气和光学性质的感应层和退火温度的影响
机译:MeV Si离子轰击改性SiO2 / SiO2 + COSB3多纳米层膜的热电性能
机译:类金刚石碳膜和金刚石膜的生长和特征:原子氢束的作用和电子场发射的研究。
机译:等离子体增强原子层沉积对不同化学计量SiOx膜的系统研究及其在SiOx / SiO2超晶格中的应用
机译:纳米级深度分辨的原子层沉积SiO2,通过辉光放电光发射光谱分析的SiO2膜
机译:金刚石原子层外延的进展:金刚石薄膜一次生长一层。
机译:PZT,PLZT和将SiO2层与铂层分离的改进方法(从PZT,PLZT和铂层隔离SiO2层的改进方法)
机译:外延金刚石膜的基础基板,外延金刚石膜的基础基板的制造方法,由该外延金刚石膜的基础基板制造的外延金刚石膜,以及外延金刚石膜的制造方法
机译:表观金刚石膜的基体,制造基体金刚石膜的方法,由基体金刚石膜基体制造的基体金刚石膜,以及表皮金刚石膜的制造方法
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