基于低频噪声的LED寿命衰减研究

摘要

低频噪声可用来测量LED器件的噪声功率谱,从而能够对器件结构中的缺陷态进行深层次的检测和分析。这种检测具有对器件无损伤、快速测量的优点,又反映了器件结构本身的内部特性,具有良好的应用前景。系统介绍了低频噪声的产生机理及数学模型,并全面分析基于GaN和基于GaAs的LED器件的1/f噪声和GR噪声的功率谱表征的研究成果。从低频噪声表征可以观察到,LED的工作性能完全可以通过1/f和G-R噪声功率谱来分析检测。影响LED器件寿命的主要原因在于有源区内的暗斑以及有源区内外的缺陷态。暗斑和缺陷态的影响衰减的机理还未得到确定解释。