首页> 中文期刊> 《时代报告(下半月)》 >生长温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响

生长温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用两种化学沉积法相结合的方法在不同温度环境中制鲁团簇状纳米氧化锌薄膜.并分析薄膜的结构和表面形貌.在高真空条件下采用二极管结构对薄膜进行场发射性能测试,结果表明生长温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响较为明显.同时证明在常压、100℃环境下也能制备出优良的场致发射阴极材料.

著录项

来源
《时代报告(下半月)》 |2012年第7期|336-337|共2页
作者
马毓堃; 冯晓静;
展开▼
作者单位

河南农业职业学院;

郑州城市职业学院;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
生长温度; ZnO; 发射;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 衬底温度对氧化锌薄膜场发射性能的影响 [J] . 李军 ,王如志 ,王波 . 液晶与显示 . 2008,第004期
2. 生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响 [J] . 杨夏喜 ,张晓兵 ,杨扬 . 发光学报 . 2008,第003期
3. 生长温度对碳纳米管阴极场发射性能的影响 [J] . 王莉莉 ,孙卓 ,陈婷 . 发光学报 . 2006,第001期
4. 衬底温度对铝掺杂氧化锌薄膜生长及其微结构性能的影响 [J] . 陈首部 ,韦世良 . 中南民族大学学报（自然科学版） . 2015,第003期
5. MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响(英文) [J] . 王振华 ,杨安丽 ,刘祥林 . 人工晶体学报 . 2010,第1期
6. 缓冲层温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响 [C] . 杨小天 ,刘博阳 ,杜国同 . 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 . 2004
7. 氧化锌薄膜的制备及场发射性能研究 [A] . 李军 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号