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缓冲层温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响

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我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)测试结果显示引入缓冲层后,薄膜的光学质量得到了相应的提高,薄膜的表面粗糙度变大.缓冲层温度为320℃的氧化锌薄膜拥有较好的结晶特性和光学特性,其表面粗糙度为22nm.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|202-206|共5页
会议地点大连
作者
杨小天; 刘博阳; 杜国同; 赵佰军; 张源涛; 刘大力; 杨树人;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
金属有机化学气相沉积; 缓冲层; 薄膜生长; 氧化锌薄膜;
入库时间 2022-08-17 11:03:21

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