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王振华; 杨安丽; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 朱勤生; 杨少延; 王占国;
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;
ZnO; 甲醇; MOCVD; 生长温度;
机译:氮退火对常压MOCVD法在c-Al2O3上生长的ZnO薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:生长温度对掺G氧化锌薄膜结构,电学和光学性能的影响
机译:衬底温度对反应溅射沉积高取向氧化锌薄膜的生长方式,微观结构和光学性能的影响
机译:氧化锌薄膜种子催化剂上生长的氧化锌纳米结构的光致发光性能
机译:温度和微观结构对of活化氧化钇薄膜发光性能的影响。
机译:只需在Pr6O11中热浸氧化锌薄膜即可获得高性能压敏电阻:温度的影响
机译:应变对Ls-mOCVD在pt / siO2 / si上生长的(Ba,sr)Ti1 + xO3薄膜介电性能的影响
机译:使用第III族盐和氧化锌薄膜的氧化锌薄膜的制造方法,该氧化锌薄膜具有为氧化锌薄膜提供优异的光学和电学性能
机译:使用种子层和电子成分的氧化锌纳米结构密度控制方法,但不影响纳米结构的生长,但还要包括附加过程
机译:制备氧化锌单晶体基板,由该过程生长的单晶体基板的制造方法,以及由该基板和由其制成的薄膜的半导体发光装置
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