首页> 中文期刊>变频器世界 >新基建促进第三代半导体材料市场驶入快车道

新基建促进第三代半导体材料市场驶入快车道

     

摘要

由于传统半导体制程工艺已近物理极限,技术研发费用剧增,制造节点的更新难度越来越大,“摩尔定律”演进开始放缓,半导体业界纷纷在新型材料和器件.上寻求突破。以新原理、新材料、新结构、新工艺为特征的“超越摩尔定律”为产业发展带来新机遇。第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展内容。与Si材料相比,第三代半导体材料拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点,特别适合于制造微波射频器件、光电子器件、电力电子器件,是未来半导体产业发展的重要方向。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号