射频器件

摘要： 发展宽禁带半导体不能只拿来不创新,宽禁带半导体(又称第三代半导体)器件和材料产业已在国内外开始部署。近年来,迅速发展起来的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网等领域具有广阔的应用前景,有望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃介绍,宽禁带半导体最明显的特征是它的半导体禁带宽度宽,在材料的性质方面更接近绝缘体。因此,以氮化镓和碳化硅为代表的这类宽禁带半导体材料拥有击穿电场强度高、工作温度高、器件导通电阻低、电子密度高等优势。目前,宽禁带半导体主要在3个领域有强大的市场竞争力。

摘要： 移动通信产业是一个大生态,既需要运营商与设备商、应用开发商等良性互动,更需要主设备商、无线设备商、射频器件厂商、光承载厂商、终端厂商和云计算AI提供商等的广泛协同,只有产业链上下游积极协作,持续培育良好的产业生态,才能促进产业链各方健康发展。在关系产业生态构建的操作系统、标准、架构等关键元素上,更需要产业上下游默契配合,切实合作。未来,希望国内外产业界持续开放合作,也希望中国产业继续参与IEEE、ITU、3GPP等国际组织的工作,强化与国际产业的合作,加强国际间技术交流,共同制定技术标准,共享产业成果。

摘要： 5GNR(5G全球标准)性能的提升基于许多关键技术,具有代表性的是massive MIMO、波束成型,这些技术可帮助运营商实现新的服务类型,包括增强型移动宽带(eMBB)、超可靠低延迟通信(URLLC)和海量机器类型通信(mMTC)。

摘要： 为了激发学生的动手能力、巩固理论知识点,结合"新工科"创新型工程人才的培养需求,提出了"天线系统设计"大赛模式。采用课赛结合、创新学分获取、奖品奖励等多种激励方式,以及优秀作品、优秀创意、活动体系和进出机制的宣传方式,多方面吸引学生积极参与,扩大该课程群在校的影响力。课赛结合模式采用知识点拓展模式、思维训练模式、成果考核模式,有效地培养了学生独立研究能力、团队协作能力、创新能力和综合设计能力,显著提高本科生培养质量。

摘要： 为了激发学生的动手能力、巩固理论知识点,结合"新工科"创新型工程人才的培养需求,提出了"天线系统设计"大赛模式.采用课赛结合、创新学分获取、奖品奖励等多种激励方式,以及优秀作品、优秀创意、活动体系和进出机制的宣传方式,多方面吸引学生积极参与,扩大该课程群在校的影响力.课赛结合模式采用知识点拓展模式、思维训练模式、成果考核模式,有效地培养了学生独立研究能力、团队协作能力、创新能力和综合设计能力,显著提高本科生培养质量.

摘要： 截至到六月底,Mouser在售GaN射频器件和功率放大器由6大厂家出品,共计451款。2020年Q2各厂家在售GaN功率产品数量较Q1增加39款。其中,GaN射频器件新增15款产品,GaN功率放大器新增27款产品,共计下架了3款产品。GaN射频器件:新增15款、频率再创新高目前有包括Wolfspeed、Qorvo、Cree、NXP和MACOM等5家企业对外销售209个类型的RF GaN HEMT器件。

摘要： 由于传统半导体制程工艺已近物理极限,技术研发费用剧增,制造节点的更新难度越来越大,“摩尔定律”演进开始放缓,半导体业界纷纷在新型材料和器件.上寻求突破。以新原理、新材料、新结构、新工艺为特征的“超越摩尔定律”为产业发展带来新机遇。第三代半导体是“超越摩尔定律”的重要发展内容。与Si材料相比,第三代半导体材料拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点,特别适合于制造微波射频器件、光电子器件、电力电子器件,是未来半导体产业发展的重要方向。

摘要： 5G产业是我国重要的战略性新兴产业之一,也是当前备受关注的新基建七大主要方向之一。杭州要发展、建设和运用5G新技术新产业,关键要着重关注5G产业链划分、5G产业价值、行业代表性企业以及各地5G发展进程,这也是在5G产业链招商引资中首先要分析清楚的环节。5G产业链划分及全景图5G产业链主要包括基站天线、射频器件、小基站、光纤光缆、PVB、主设备、光模块。

摘要： 10月19日,横店东磁披露了公司投资者调研活动内容.据悉,横店东磁已对外披露了三季报业绩预告,预计1-9月净利润同比增长24.05%至34.72%,7-9月净利润同比增长55%-85%。未来,横店东磁发展思路为“材料+器件、新能源”,发展目标为各产业保持较高速的增长。

摘要： 射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用.本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用,得出了相关结论.

摘要： RF LDMOS射频器件目前被广泛的应用于GSM&CDMA的基站中，器件的射频性能和可靠性直接影响信号传输效果。本文在研究射频器件工作原理的基础上，对射频器件进行了可靠性试验测试，根据试验结果及现场的一些反馈信息，采用六西格玛方法进行了可靠性分析，找出了失效原因，并提出了相应的改进措施，以切实提高产品可靠性。

摘要： 研制了一种与0.1μmSOICMOS工艺兼容的射频PDSOINMOSFET，并分析了电离总剂量辐照对四种不同结构射频器件的静态特性和频率特性的影响，分别包括前/背栅阈值、泄漏电流、跨导，输出特性以及交流小信号电流增益和最大有效/稳定增益。实验表明，在室温环境下经过总剂量为1Mrad(Si)的γ射线辐照，各射频PDSOI NMOSFET的静态和射频特性均表现出明显退化，其中以浮体NMOSFET变化最大。虽然损失了部分驱动电流、开关速度和高频特性，LBBC型体接触结构的射频器件仍表现出优于GBBC和BTS型体接触结构的射频器件的抗电离总剂量辐照的能力。

摘要： MAX2829是一款802.11专用射频芯片,是该类芯片的典型代表.对MAX2829的特性做了分析,详细介绍了该芯片的频率合成器单元的应用方法.从工作频率和信号带宽角度论证了该芯片应用到蓝牙通讯系统的可行性,推导了将该芯片应用到蓝牙系统频段的频率控制字计算公式,给出了一个将该芯片应用到蓝牙通讯系统的方案,给出了实验结果.

摘要： 本文讨论了当前频谱管理领域由于现代宽带通信系统概念、新型射频器件以及软件的出现而面临的挑战.简述了未来频谱了管理机构的宏观对策,内容涉及频谱共享、动态频率指配以及频谱领域的军民协同等内容。

摘要： RF MEMS是优化产品RF性能的重要器件,封装技术成为RFMEMS广泛应用的瓶颈之一.近年来,RFMEMS封装技术在电性能、尺寸及可靠性等方面迅速发展,新的封装结构和技术层出不穷,随之而来的挑战不断增加.本文以RFMEMS封装的特点引出其封装工艺的发展趋势,列举近年来国内外在该领域的研究成果,指出RF MEMS封装工艺在今后发展中面临的挑战主要有：降低封装对电性能的损耗，开发低温、低应力封装工艺，多种封装工艺的兼容性，以及降低最终封装尺寸。有效利用优良微波性能的RF MEMS器件，如射频开关、变容器和电感器，高Q值谐振器和天线等，是改善轻型相控阵天线、各类低功耗微型移相器等射频单元性能重要技术途径。目前，国内航天电子产品中微组装技术多停留在基本的封装工艺，具有灵活性，以满足卫星产品多品种小批量的产品特点，随着卫星技术发展，许多射频单元已形成固化产品，对于此类可通用的产品，单独设计封装工艺，采用先进的封装技术，形成通用产品单元，更利于封装质量和生产效率的提升。

摘要： RF MEMS是优化产品RF性能的重要器件,封装技术成为RFMEMS广泛应用的瓶颈之一.近年来,RFMEMS封装技术在电性能、尺寸及可靠性等方面迅速发展,新的封装结构和技术层出不穷,随之而来的挑战不断增加.本文以RFMEMS封装的特点引出其封装工艺的发展趋势,列举近年来国内外在该领域的研究成果,指出RF MEMS封装工艺在今后发展中面临的挑战主要有：降低封装对电性能的损耗，开发低温、低应力封装工艺，多种封装工艺的兼容性，以及降低最终封装尺寸。有效利用优良微波性能的RF MEMS器件，如射频开关、变容器和电感器，高Q值谐振器和天线等，是改善轻型相控阵天线、各类低功耗微型移相器等射频单元性能重要技术途径。目前，国内航天电子产品中微组装技术多停留在基本的封装工艺，具有灵活性，以满足卫星产品多品种小批量的产品特点，随着卫星技术发展，许多射频单元已形成固化产品，对于此类可通用的产品，单独设计封装工艺，采用先进的封装技术，形成通用产品单元，更利于封装质量和生产效率的提升。

摘要： RF MEMS是优化产品RF性能的重要器件,封装技术成为RFMEMS广泛应用的瓶颈之一.近年来,RFMEMS封装技术在电性能、尺寸及可靠性等方面迅速发展,新的封装结构和技术层出不穷,随之而来的挑战不断增加.本文以RFMEMS封装的特点引出其封装工艺的发展趋势,列举近年来国内外在该领域的研究成果,指出RF MEMS封装工艺在今后发展中面临的挑战主要有：降低封装对电性能的损耗，开发低温、低应力封装工艺，多种封装工艺的兼容性，以及降低最终封装尺寸。有效利用优良微波性能的RF MEMS器件，如射频开关、变容器和电感器，高Q值谐振器和天线等，是改善轻型相控阵天线、各类低功耗微型移相器等射频单元性能重要技术途径。目前，国内航天电子产品中微组装技术多停留在基本的封装工艺，具有灵活性，以满足卫星产品多品种小批量的产品特点，随着卫星技术发展，许多射频单元已形成固化产品，对于此类可通用的产品，单独设计封装工艺，采用先进的封装技术，形成通用产品单元，更利于封装质量和生产效率的提升。

摘要： 本文在研究共面波导和微带线转接头作用的基础上，提出一种从CPW的地线和微带线背面地平面无通孔连接的过渡结构。结果表明CPW和微带线过渡结构能减小不同传输线元器件传输间的损耗，并且易于加工制造等优点。

摘要： 本文在研究共面波导和微带线转接头作用的基础上，提出一种从CPW的地线和微带线背面地平面无通孔连接的过渡结构。结果表明CPW和微带线过渡结构能减小不同传输线元器件传输间的损耗，并且易于加工制造等优点。

摘要： 本发明公开了一种射频开关器件版图结构及射频开关器件，版图结构包括设置于外延层上的第一电极、第二电极、栅极、第一辅助金属块、第一金属块，栅极包括至少一子栅极，第一辅助金属块设置于相邻第一子栅极的第一方向子栅极部分之间，第一辅助金属块在宽度方向上设置于第一电极指电极其远离第一电极主电极的一端处与第一子栅极的第二方向子栅极部分之间，第一金属块与第二电极主电极通过金属连接线相连且与第一子栅极的第二方向子栅极部分绝缘隔离。本发明用沟道电阻的方式去实现用于稳定栅极之间电压的Rds，并嵌入进射频开关器件内部，从而节省布局空间，有利于降低射频开关的整体成本，同时增加了射频开关器件耐功率能力，P1dB和隔离度均提高。

摘要： 本发明提供了一种射频开关器件的形成方法和射频开关器件，在基底上形成栅极结构以及在栅极结构及基底上依次形成刻蚀停止层、第一介电层、氮化硅层和第二介电层后，在所述氮化硅层内形成空气隙，由于所述空气隙相对来说介电常数最低，故所述空气隙的存在，使得最后在所述第二介电层上形成的源金属层和所述栅极结构之间以及在所述第二介电层上形成的漏金属层和所述栅极结构之间的寄生电容最小化，从而减小了关断电容Coff，提升了射频开关器件的性能。

摘要： 本申请提供一种内嵌电阻的射频开关器件版图结构和射频开关器件，通过在射频开关器件的版图结构内部嵌入栅极指组，并通过栅极指组形成沟道电阻，利用沟道电阻的方式实现稳定栅极之间的电压。在提高开关器件的耐攻率能力的同时，提高版图的紧凑度，避免版图面积过大。并且，栅极指组中包含至少两个栅极指，可以便捷地通过调整栅极指之间的间距从而达到调整栅极之间电压的Rds的效果，在工艺上易于实现。

摘要： 本发明涉及射频跨接器件和射频器件。一种微波或射频(RF)跨接器件包括绝缘基板，绝缘基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。该器件还包括跨接导体，跨接导体设置在第一表面上，在第一表面的第一边缘和第一表面的第二边缘之间延伸。该器件还包括在第二表面中的凹陷，凹陷由(i)相对于第二表面凹形的第三表面和(ii)在第二表面和第三表面之间延伸的至少一个侧壁部分限定。该器件还包括导电涂层，该导电涂层形成在第二表面的至少一部分、第三表面和至少一个侧壁上方，其中，导电涂层通过绝缘基板与跨接导体绝缘。

摘要： 本申请提供了一种用于射频领域的SiC JFET器件以及射频器件，该SiC JFET器件包括衬底、栅极线以及源极线，栅极线以及源极线均位于衬底的表面上，栅极线与源极线不连接，其中，源极线与衬底中的源区对应接触；栅极线包括第一总线以及多个间隔设置的第一干线，第一干线与第一总线直接连接，或者一个第一干线通过至少一个其他的第一干线与第一总线连接；源极线与源区对应接触，源极线包括第二总线以及多个间隔设置的第二干线，第二干线与第二总线直接连接，或者一个第二干线通过至少一个其他的第二干线与第二总线连接，且第一干线与第二干线交替设置。保证了均流效果较好以及寄生电感一致性效果较好。

摘要： 本发明涉及一种检查射频器件（1）的方法，所述方法允许通过改变导电元件（13）旁边或附近的可调介电材料（4）的介电材料性质来修改射频信号沿着导电元件（13）的传输和/或操控，所述方法包括以下步骤：在传递通过可调介电材料（4）之前以入射光强度和/或以已知入射相位将光束（12）通过第一基板层（2）的光学透明区域部分发射到可调介电材料（4）的测试体积中；经由被布置在第一基板层（2）的光学透明区域部分处的第一透明测试电极（6）、以及与第一测试电极相对地布置在第二基板层（3）处的第二测试电极（8）将偏置场应用到测试体积；取决于所述偏置场在传递通过可调介电材料（4）之后测量所述光束（12）的出射光强度和/或出射相位；以及根据所述偏置场基于出射光强度和入射光强度的商和/或基于所述光束（12）的入射相位与出射相位之间的相位关系来确定可调介电材料（4）的至少一个特性性质。

摘要： 本公开的实施例涉及射频器件和用于制造射频器件的方法。一种射频器件，包括印刷电路板和安装在印刷电路板上带有射频芯片和射频辐射元件的射频封装。射频器件还包括具有波导的波导部件，其中射频辐射元件被设计为将发送信号辐射到波导中、和/或通过波导接收接收信号。射频器件还包括布置在射频封装的第一侧与波导部件的第二侧之间的间隙和屏蔽结构，该屏蔽结构被设计为：在垂直于射频封装的第一侧的第一方向上允许射频封装与波导部件之间的相对运动，并且屏蔽发送信号和/或接收信号，使得信号通过间隙的传播被减弱或阻止。

摘要： 本发明涉及电子信息微波器件与制造技术领域，提供一种三维射频器件的制作方法及三维射频器件。该三维射频器件的制作方法先通过低温共烧陶瓷技术制作出切片，并在切片上形成功能结构，将各个切片组合联结后，即可形成对应功能的三维射频器件，这样一来，在切片上形成功能结构时，所受到的限制更小，加工方式也更为简单，同时，叠加后形成的三维射频器件的功能结构的尺寸也更加精准。利用该制作方法制作出的三维射频器件包括但不限于滤波器、耦合器、滤波天线等。

摘要： 本实用新型揭示了一种射频连接器、射频器件腔体及射频器件。所述射频连接器包括外导体和内导体，所述外导体具有轴向相对的第一端、第二端及贯穿所述第一端和所述第二端的通孔；所述内导体具有第三端和第四端，所述内导体设于所述通孔内，且所述第三端伸出所述第一端；所述通孔靠近所述第一端的孔壁设有内螺纹，设有所述内螺纹的孔壁与所述内导体之间具有安装空间。本实用新型通过改变射频连接器与射频器件腔体的连接方式，使得所述射频连接器与目标腔体之间通过螺纹连接，易于实现装配自动化，提高生产力。同时，采用螺纹连接的方式，可以使得所述射频连接器的接地面与所述射频器件腔体的接地面能更好地贴合，保证产品的互调水平和稳定性。

摘要： 本实用新型提供一种射频器件管壳和射频封装器件，涉及半导体封装技术领域，射频器件管壳包括基底法兰、围壳和盖板，围壳设置在基底法兰上，盖板设置在围壳上，盖板和基底法兰分别设置在围壳的上下侧，且盖板和基底法兰之间形成有用于容置射频器件的容置空腔，基底法兰和围壳二者之一设置有卡槽，另一个设置有卡持凸块，卡持凸块装配在卡槽中，以使基底法兰卡持在围壳的底部，从而保证了基底法兰和围壳之间的可靠连接。在实际粘接时，避免了由于温度变化造成的粘接失效而导致基底法兰和围壳之间脱离，使得结合效果更好。相较于现有技术，本实用新型提升了基底法兰和围壳之间的结合可靠度，并保证了气密性和牢固度。