软特性650V IGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

摘要

近年来，功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度，这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感（Ls）。为了满足具有大电流的高功率应用的需求，推出了一种全新的芯片650V IGBT4，旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度，并且由于关断电流变化率di／dr的降低，带来了更低的关断电压尖峰。