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赵忠礼;
北京新晨时代通讯设备有限责任公司,北京,100080;
SMPS; 功率器件; 分析和比较;
机译:功率转换IC可提供高达250W的功率,简化了smps设计
机译:单极开关器件的功率损耗限制:Si超结器件和宽带隙器件之间的比较
机译:大功率发光二极管器件的芯片键合填充状态的重建和热性能分析
机译:用于卫星应用的基于Si和GaN功率器件的SMPS的比较
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:基于电解质栅控氧化物电子器件的喷墨印刷环形振荡器的数字功率和性能分析
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:通过PWM IC的功率控制降低SMPS的待机功率
机译:通过PWM IC的功率控制减少SMPS的待机功率
机译:基于纹波电压补偿的功率放大器SMPS及其控制方法
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