5G大功率器件热管理:金刚石热沉片大有可为

摘要

5G时代巨大数据流量对于通讯终端的芯片,天线等部件提出了更高的要求,器件功耗大幅提升的同时,引起这些部位发热量的急剧增加。目前大功率、高电流密度是IGBT芯片的发展趋势,这势必会造成电子元器件过热。研究数据表明,芯片表面温度达到70℃~80℃时,温度每增加1℃,芯片可靠性下降5%,超过55%的电子设备的失效形式是温度过高引起的。散热是当前5G射频芯片、毫米波天线、无线充电、无线传输、IGBT、印刷线路板、AI和物联网等领域急需解决的问题。